Описание
Мощный n-канальный высоковольтный полевой HEXFET Power MOSFET транзистор, в TO-220 корпусе.
30.00 ₽
Мощный n-канальный высоковольтный полевой (MOSFET) транзистор в TO-220 корпусе.
В наличии
Мощный n-канальный высоковольтный полевой HEXFET Power MOSFET транзистор, в TO-220 корпусе.
| Вес | 1.93 г |
|---|---|
| Габариты | 0.49 × 0.11 × 3.12 см |
| Тип транзистора | |
| Структура | |
| Максимальное напряжение с-и | |
| Максимальное напряжение з-и | |
| Максимально допустимый ток стока | |
| Пороговое напряжение затвора | |
| Максимальная крутизна | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии | |
| Входная емкость | |
| Время переключения | |
| Максимальная рассеиваемая мощность | |
| Корпус | |
| Температурный диапазон эксплуатации | |
| Производитель |
Указанная на сайте информация о ценах товара
и комплектации не является офертой.