IRF3205, TO-220

37.00 

Мощный n-канальный полевой (MOSFET) транзистор с очень низким сопротивлением канала, в TO-220 корпусе.

Нет в наличии

Описание

Мощный n-канальный полевой HEXFET Power MOSFET транзистор с очень низким сопротивлением канала, в TO-220 корпусе.

Детали

Вес1.93 г
Габариты0.49 × 0.11 × 3.12 см
Тип транзистора

Структура

Максимальное напряжение с-и

Максимальное напряжение з-и

Максимально допустимый ток стока

Пороговое напряжение затвора

Максимальная крутизна

Сопротивление канала в открытом состоянии

Входная емкость

Время переключения

Максимальная рассеиваемая мощность

Корпус

Температурный диапазон эксплуатации

Производитель