Описание
Диоды Шоттки имеют малое падение напряжения при прямом включении, а также высокое быстродействие.
В таких диодах барьером является переход между металлом и полупроводником. Данный переход имеет ряд отличительных свойств: уменьшенное падение напряжения прямого включения (по сравнению с p-n переходом), высокие токи утечки, очень маленькая величина электрического заряда обратного восстановления. Это объясняется тем, что у диодов Шоттки отсутствует диффузия, которая связана с инжекцией неосновных носителей заряда, т.е. их работа основана только на основных носителях, а быстродействие таких диодов зависит от барьерной ёмкости.
