Активные элементы
Отображение 121–144 из 187
-
MMBT3904, SOT-23
1.00 ₽В корзинуБиполярный NPN транзистор в корпусе SOT-23. (аналог — PMBT3904, 2N3904).
-
MMBT5551, SOT-23
2.50 ₽В корзинуБиполярный NPN транзистор в корпусе SOT-23. (аналог — 2N5551, KST5551).
-
MOC3023M, DIP-6
15.00 ₽В корзинуОптопара с фотосимистором на выходе, без детектора нуля, в корпусе DIP-6.
-
MOC3041M, DIP-6
26.00 ₽В корзинуОптопара с фотосимистором на выходе, с детектором нуля, в корпусе DIP-6.
-
MOC3081M, DIP-6
28.00 ₽В корзинуОптопара с фотосимистором на выходе, с детектором нуля, в корпусе DIP-6.
-
MP1584EN-LF-Z, SOIC-8E
30.00 ₽В корзинуРегулируемый импульсный стабилизатор на 0 — 28 В, 3 А, 100 кГц — 1.5 МГц, корпус SOIC-8E.
-
PDTC143ET, SOT23
3.00 ₽В корзинуБиполярный NPN-цифровой транзистор (делитель в базе R2/R1=1), в корпусе SOT-23.
-
PMBT3906, SOT-23
1.00 ₽В корзинуБиполярный PNP транзистор в корпусе SOT-23. (аналог — MMBT3906, 2N3906).
-
S8550, TO-92
1.50 ₽В корзинуБиполярный PNP транзистор в корпусе TO-92. Максимальный ток коллектора — 700 мА. Максимальное напряжение к-э: 20 В.
-
SN74HC595N, DIP-16
16.00 ₽В корзину8-битный сдвиговый регистр с последовательным входом и параллельным выходом, с выходными регистрами с тремя состояниями, в корпусе DIP-16.
-
SP0503BAHTG, SOT-143
25.00 ₽В корзинуЧип (SMD) массив TVS защитных диодов, однонаправленный, 30 пФ 30 кВ. Максимальное рабочее напряжение — 5.5 В.
-
SPW20N60C3, TO-247
499.00 ₽В корзинуМощный высоковольтный (650В) n-канальный полевой (MOSFET) транзистор в TO-247 корпусе.
-
STD3NK60ZT4, TO-252 (DPAK)
32.00 ₽В корзинуМощный высоковольтный (600 В) n-канальный полевой (MOSFET) транзистор в TO-252 (DPAK) корпусе.